报告人：田博博 教授 (华东师范大学)

时 间：2024年5月10日 (周五) 10：30-12：00

地 点：9001cc.s金沙登录良乡校区，物理实验中心229会议室

摘要：

受生物大脑的启发，忆阻器架构的并行模拟计算被认为是解决冯诺依曼瓶颈的潜在途径之一。基于铁电效应的忆阻器利用电场调控铁电极化来实现非易失的模拟状态，该场调控工作机制避免了诸如基于阻变氧化物和相变材料等电流驱动器件中的焦耳热，可以实现更低的功耗。此外，铁电材料可以耦合光电、压电、热释电等多种外场调控效应，这进一步拓展了铁电材料在视觉、触觉等神经系统中的仿生应用，基于铁电材料的硬件类脑有望在能耗和功能性方面占据重要优势。本报告中总结了课题组近年来在基于铁电效应在神经形态器件方面的研究进展，包括基于铁电鳍式二极管新型非易失存储器的无源交叉存算一体阵列[Nature Communications, 15, 513 (2024)]和铁电调控的存内感算人工神经网络的类脑视觉[Nature Materials, 22, 1499 (2023); Nature Electronics, 3, 43 (2020)]。

简历：

田博博，物理与电子科学学院电子科学系教授，上海类脑智能材料与器件研究中心主任助理，国家优青。研究方向为基于铁电材料的类脑智能器件，在Nat. Mater.、Nat. Electron.、Appl. Phys. Rev.、Nat. Commun.等国际重要期刊发表SCI论文100余篇。入选中国博士后创新人才计划和中国科学院院长特别奖。担任中国神经科学学会类脑智能分会委员会委员，以及InfoMat (IF:22.7)、NML (IF:26.6)、IJEM (IF:14.7)、Exploration和Brain-X期刊的青年编委。

联系方式：jdzhou@bit.edu.cn

邀请人：周家东

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承办单位：物理学院